Sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3n4

Sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3n4

El sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3n4 es un tipo de material avanzado que se utiliza en muchas aplicaciones diferentes, desde la electrónica hasta la industria aeroespacial. Tiene una combinación única de propiedades que la convierten en una de las cerámicas más versátiles y duraderas disponibles. El nitruro de silicio es un material increíblemente duro y resistente, lo que lo hace muy resistente al desgaste. Tiene una excelente estabilidad térmica, lo que significa que puede soportar altas temperaturas sin degradarse ni perder sus propiedades. Además, es altamente aislante eléctrico, proporcionando un excelente aislamiento y protección a los componentes eléctricos.

El sustrato cerámico de nitruro de silicio se utiliza en diversos componentes electrónicos, como semiconductores de potencia y diodos emisores de luz (LED), debido a su excelente conductividad térmica y propiedades de disipación de calor. También se utiliza en aplicaciones mecánicas, como rodamientos de alta velocidad y herramientas de corte, debido a su resistencia y dureza excepcionales. La industria aeroespacial utiliza sustrato cerámico de nitruro de silicio en aplicaciones de alta temperatura, como piezas de turbinas, debido a su excelente resistencia al choque térmico y a la oxidación.

En general, el sustrato cerámico de nitruro de silicio es un material excepcional con una amplia gama de aplicaciones. Su durabilidad, estabilidad térmica, aislamiento eléctrico y resistencia mecánica lo convierten en una opción popular en muchas industrias diferentes.

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El sustrato cerámico Torbo® de nitruro de silicio Si3n4

Artículo: sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3n4

Material:Si3N4

Color gris

Espesor: 0,25-1 mm

Procesamiento de superficie: Doble pulido

Densidad aparente: 3,24 g/㎤

Rugosidad superficial Ra: 0,4 μm

Resistencia a la flexión: (método de 3 puntos): 600-1000Mpa

Módulo de elasticidad: 310Gpa

Dureza a la fractura (método IF): 6,5 MPa･√m

Conductividad térmica: 25°C 15-85 W/(m･K)

Factor de pérdida dieléctrica: 0,4

Resistividad de volumen: 25°C >1014 Ω･㎝

Fuerza de ruptura: DC >15㎸/㎜